士兰微电子厂怎么样啊
士兰微电子这抄几年效益不怎么样的。虽然在行业内也是老大哥了,但是转型不成功,前景很不乐观。相比之下茂捷半导体就比较有优势了,
深圳市茂捷半导体有限公司是一家专业从事纯模拟电路和数模混合集成袭电路设计的IC设计公司。公司资深研发团队将业界bai先进的设计技术与亚太地区的本土优势产业链相结合,服务全球市场,为客户提供高效率、低功耗、低风险、低成本、绿色化的产品方案和服务。助力于充du电器、适配器、照明、锂电充电等产业的发展。
茂捷主营方案:
M5573A/B/N副边驱动,低待机,高效率的充电器,适配器方案。
M5832/5/6/8原边驱动,高效率,低成本的充电器,适配器方案。
M8900/10高PFC,高精度,恒流zhi,隔离的LED驱动方案
M8911/12高PFC+MOS,高精度,恒流,隔离的LED驱动方案。
M8914高PFC,高精度,恒流,非隔离的LED驱动方案。
茂捷让您有机会为绿色地球做dao贡献!
杭州士兰微电子股份有限公司怎么样
士兰微电子这几年效益不怎么样的。虽然在行业内也是老大哥了,但是转型不成功,前景很不乐观。相比之下茂捷半导体bai就比较有优势了,
深圳市茂捷半导体有限公司是一du家专业从事纯模拟电路和数模混合集成电路设计的IC设计公司。公司资深研发团队将业界先进的设计技术与亚太地zhi区的本土优势产业链相结合,服务全球市场,为客户提供高效率、低功耗、低风险、低成本、绿色化的产品方案和服务。助力于充电器、dao适配器、照明、锂电充电等产业的发展。
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士兰微的企业文化
士兰微电子秉承“诚2113信、忍耐、探索、热情”为核心的理念,努力创建以技术和管理创新为特5261色的企业文化。同时,士兰微电子通过寻求员工、股东和合作伙伴之间的利益均衡,4102协调好近期利益与长远利益,实现企业1653的可持续发展。士兰的使命成为最优秀的半导体集成电路设计与制造企业回之一。卓有成效的管理是企业持续发展的保证。技术进步是企业不断发展的推动力。积极投入并且业务精通的人才资源答是企业核心竞争力的基石。
士兰微这个股怎么样,属于什么板块
集成电路|du60766.38|17728.17|29.17|40.01|
|器件|51317.10|16861.61|32.86|33.79|
|发光二极管|39214.77|18845.83|48.06|25.82|
|其他|501.72|369.03|73.55|0.33|
公司基本面非常棒,是国内电子晶体zhi管的龙头公司,技术上,股价一直强dao于大盘,目前短线回调中,建议观察内日线放量站上半年线就可以做,会有很好的短容线收益!
士兰微电子这几年效益不怎么样的bai。虽然在行业内也是老大哥了,但是转型不成功,前景很不乐观。相比之下茂捷半导体就比较有优势了,
深圳市茂捷半导体有限公司是一家专业从事纯模拟电路和数模du混合集成电路设计的IC设计公司。公司资深研发团队将业界先进的设计技术与亚太地区的本土优势产业链相结合,服务全球市场,为客户zhi提供高效率、低功耗、低风险、低成本dao、绿色化的产品方案和服务。助力于充电器、适配器、照明、锂电充电等产业的发展。
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杭州士兰微电子股份有限公司的发展历程
1997年9月:杭州士兰电子有限公司注册成立
1997年10月:受让杭州友旺电子有限公司40%的股权
1999年12月:被认定为浙江省高新技术企业
2000年1月:设立深圳市深兰微电子有限公司(负责中国华南地区的销售业务)
2000年10月:整体改制为杭州士兰微电子股份有限公司
2001年1月:设立杭州士兰集成电路有限公司(硅芯片制造的全资子公司)
2002年3月:被中国半导体行业协会认定为首批集成电路设计企业之一
2002年7月:被科技部认定为国家火炬计划软件产业基地骨干企业
2003年3月:2600万A股在上海证券交易所挂牌上市
2003年11月:位于杭州(滨江)高新技术开发区的芯片测试工厂动工兴建
2004年9月:设立杭州士兰明芯科技有限公司(发光二极管芯片制造的全资子公司)
2005年7月:设立士兰微电子美国研发中心(位于加州硅谷)
2006年9月:设立士兰微电子上海研发中心
2007年01月:发布第一款采用士兰集成BCD工艺制造的高效率功率LED驱动电路
2007年04月:发布第一款单芯片的DVD播放机芯片
2009年07月:杭州美卡乐光电有限公司成立,进入LED封装业务
2009年08月:韩国办事处在首尔成立
2010年05月:台湾办事处在台北成立
2010年09月:完成定向增发3000万股
2010年11月:成都士兰半导体制造有限公司在成都—阿坝工业园成功奠基
2010年12月:进入功率模块封装业务
士兰微IGBT模块是进口的吗?
士兰微IGBT——中国“芯”希望!
目前国内的IGBT的市场规模105.4亿元,约占全球总需求的50%,但国产化率只有11%,存在巨大的进口替代的空间。
从市场竞争格局来看,目前英飞凌是全球龙头,市占率26.6%,三菱电机和富士电机紧随其后。
2014年,我国成立了国家集成电路产业投资基金(简称“大基金”)用于推动我国的半导体产业发展。基金初期规模1200亿元。2016年,大基金以6亿元入股士兰微,投资8英寸芯片生产线,用于生产IGBT。
士兰微电子,从2009年开始进行IGBT器件的开发预研工作,经过几年的努力研发与发展,已经研发出以第2代精细化PT型IGBT器件、第5代平面栅场截止型IGBT器件、第6代沟槽栅场截止性IGBT器件、第7代沟槽栅RC-IGBT器件等为代表的IGBT器件家族。IGBT器件的电压范围也覆盖了600——1350V的电压区间,并开始着手进行1700V以上的IGBT器件的研发工作。目前士兰微电子IGBT分立器件产出已突破200万颗/月。截止2017年11月,士兰微电子IGBT器件获得发明专利授权4件,实用新型专利授权8件,还有8项发明专利正在受理审查。士兰微电子IGBT器件和模块技术的先发优势,必将为新能源车功率器件春天的到来赢得长足的先机!
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